Determinarea densitatii si mobilitatii purtatorilor de sarcina in p-Germaniu

Determinarea densitatii si mobilitatii purtatorilor de sarcina in p-Germaniu

Obiectivele Experimentului:

Masurarea Tensiunii Hall in Functie de Curent: Studentii vor investiga modul in care tensiunea Hall variaza in functie de curentul electric la un camp magnetic constant. Acest lucru va permite determinarea densitatii si mobilitatii purtatorilor de sarcina.

Masurarea Tensiunii Hall in Functie de Campul Magnetic: Prin analiza tensiunii Hall in functie de campul magnetic la un curent electric constant, se va determina coeficientul Hall. Aceasta masuratoare este cruciala pentru intelegerea comportamentului purtatorilor de sarcina in germaniu.

Studiul Tensiunii Hall in Functie de Temperatura: Studentii vor explora modul in care tensiunea Hall se schimba odata cu variatia temperaturii. Aceasta analiza va ajuta la investigarea tranzitiei de la conductivitatea extrinsica la cea intrinseca, oferind astfel o intelegere profunda a comportamentului purtatorilor de sarcina in p-Germaniu.

Principii Cheie:

Efectul Hall in p-Germaniu: P-Germaniul este germaniul dopat cu impuritati care produc purtatori de sarcina de tip “gaura” (holes) in loc de electroni. Prin aplicarea unui camp magnetic perpendicular pe directia curentului electric intr-o proba de p-Germaniu, apare tensiunea Hall, oferind informatii despre densitatea si mobilitatea acestor gauri.

Coeficientul Hall: Coeficientul Hall este o marime fundamentala care descrie comportamentul materialului in campul magnetic si este crucial pentru intelegerea purtatorilor de sarcina si a semiconductoarelor dopate.

Studiul Temperaturii in Efectul Hall: Variatia tensiunii Hall odata cu temperatura poate dezvalui tranzitia de la conductivitatea extrinsica (determinata de impuritati) la cea intrinseca (determinata de purtatorii de sarcina intrinseci). Aceasta furnizeaza informatii esentiale despre comportamentul semiconductoarelor dopate in diverse conditii.

Relevanta in Stiinta si Tehnologie:

Aceste experimente sunt esentiale pentru intelegerea comportamentului semiconductoarelor dopate si a modului in care acestea reactioneaza la variabile precum temperatura si camp magnetic. Comprehensiunea comportamentului purtatorilor de sarcina in diferite conditii este cruciala pentru dezvoltarea dispozitivelor si tehnologiilor semiconductorilor, inclusiv tranzistori si diode, care formeaza baza electronicelor moderne. Prin participarea la aceste experimente, studentii sunt pregatiti pentru a face fata provocarilor din industria semiconductorilor, unde dezvoltarea tehnologiei este esentiala pentru avansarea rapida a dispozitivelor electronice.